На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC030N03MSG | BSC030N04NSG | BSC030P03NS3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <69 Вт | <83 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.7 нФVds = 15V | 4.9 нФVds = 20V | 14 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <40 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | N-ch | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 73 нCVgs = 10V | 61 нCVgs = 10V | 186 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |