ATP213

ATP213, ATP213-TL-H

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрATP213-TL-H
Производитель
Производитель
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.15 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<50 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<16 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Заряд затвора
QG
58 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate