APTM20SKM10TG

APTM20SKM10, APTM20SKM10TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM20SKM10TG
Корпус микросхемы
Корпус
SP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<694 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
13.7 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<175 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<12 мОмId, Vgs = 87.5A, 10V
Заряд затвора
QG
224 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard