APTM120UM95FAG

APTM120UM95, APTM120UM95FAG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM120UM95FAG
Корпус микросхемы
Корпус
SP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<2.272 кВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
30.9 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<103 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<114 мОмId, Vgs = 51.5A, 10V
Заряд затвора
QG
1.122 мкCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard