На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM120U10DAG | APTM120U10SAG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP6 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <3.29 кВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 28.9 нФVds = 25V | |
Постоянный ток стока | IDSS | <116 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <120 мОмId, Vgs = 58A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 1.1 мкCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |