APTM10UM01FAG

APTM10UM01, APTM10UM01FAG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM10UM01FAG
Корпус микросхемы
Корпус
SP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<2.5 кВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
60 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<860 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.6 мОмId, Vgs = 275A, 10V
Заряд затвора
QG
2.1 мкCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard