APTM10SKM05TG

APTM10SKM05, APTM10SKM05TG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM10SKM05TG
Корпус микросхемы
Корпус
SP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<780 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
20 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<278 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5 мОмId, Vgs = 125A, 10V
Заряд затвора
QG
700 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard