На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM100DA18T1G | APTM100DA18TG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP1 Module | SP4 Module |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <657 Вт | <780 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 14.8 нФVds = 25V | 10.4 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <40 А | <43 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <216 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 570 нCVgs = 10V | 372 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |