На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT9F100B | APT9M100B | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <335 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.605 нФVds = 25V | |
Постоянный ток стока | IDSS | <9 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 80 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |