На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT8M100B | APT8M80K | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | TO-220 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <290 Вт | <225 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.885 нФVds = 25V | 1.335 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.8 ОмId, Vgs = 4A, 10V | <1.5 ОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |