APT8024

APT8024, APT8024B2FLLG, APT8024B2LLG, APT8024B2VFRG, APT8024B2VRG, APT8024JFLL, APT8024JLL, APT8024LFLLG, APT8024LLLG, APT8024LVFRG, APT8024LVRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT8024B2FLLGAPT8024B2LLGAPT8024B2VFRGAPT8024B2VRGAPT8024JFLLAPT8024JLLAPT8024LFLLGAPT8024LLLGAPT8024LVFRGAPT8024LVRG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXT-MAXT-MAXT-MAXSOT-227SOT-227TO-264TO-264TO-264TO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<565 Вт<565 Вт<625 Вт<625 Вт<460 Вт<460 Вт<565 Вт<565 Вт<625 Вт<625 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.67 нФVds = 25V4.67 нФVds = 25V7.74 нФVds = 25V7.74 нФVds = 25V4.67 нФVds = 25V4.67 нФVds = 25V4.67 нФVds = 25V4.67 нФVds = 25V7.74 нФVds = 25V7.74 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<31 А<31 А<33 А<33 А<29 А<29 А<31 А<31 А<33 А<33 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<260 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V<260 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V<260 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V<240 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®
Заряд затвора
QG
160 нCVgs = 10V160 нCVgs = 10V425 нCVgs = 10V425 нCVgs = 10V160 нCVgs = 10V160 нCVgs = 10V160 нCVgs = 10V160 нCVgs = 10V425 нCVgs = 10V425 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard