На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT66M60B2 | APT66M60L | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | TO-264 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <1.135 кВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 13.19 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <66 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 33A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 330 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |