APT6025BLLG

APT6025, APT6025BFLLG, APT6025BLLG, APT6025BVFRG, APT6025BVRG, APT6025SFLLG, APT6025SLLG, APT6025SVFRG, APT6025SVRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		APT6025BFLLG	APT6025BLLG	APT6025BVFRG	APT6025BVRG	APT6025SFLLG	APT6025SLLG	APT6025SVFRG	APT6025SVRG
Корпус микросхемы	Корпус	TO-247	TO-247	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный
Мощность	P	<325 Вт	<325 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<325 Вт	<325 Вт	<370 Вт	<370 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	2.91 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	2.91 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V	5.16 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<600 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<24 А	<24 А	<25 А	<25 А	<24 А	<24 А	<25 А	<25 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V	<250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET	Серия	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвора	Q_G	65 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	65 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V	275 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard