APT6017B2LLG

APT6017, APT6017B2FLLG, APT6017B2LLG, APT6017JFLL, APT6017JLL, APT6017LFLLG, APT6017LLLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT6017B2FLLGAPT6017B2LLGAPT6017JFLLAPT6017JLLAPT6017LFLLGAPT6017LLLG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXT-MAXSOT-227SOT-227TO-264TO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<500 Вт<500 Вт<375 Вт<375 Вт<500 Вт<500 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.5 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<35 А<35 А<31 А<31 А<35 А<35 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<170 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<170 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<170 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<170 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V<170 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<170 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®
Заряд затвора
QG
100 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard