На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT6015B2VFRG | APT6015B2VRG | APT6015JVFR | APT6015JVR | APT6015LVFRG | APT6015LVRG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-264 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод | На шасси/провод | В отверстия | В отверстия |
Мощность | P | <520 Вт | <520 Вт | <450 Вт | <450 Вт | <520 Вт | <520 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 9 нФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <38 А | <38 А | <35 А | <35 А | <38 А | <38 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <150 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS V® | |||||
Заряд затвора | QG | 475 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||