APT6013B2FLLG

APT6013, APT6013B2FLLG, APT6013B2LLG, APT6013JFLL, APT6013JLL, APT6013JVR, APT6013LFLLG, APT6013LLLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT6013B2FLLGAPT6013B2LLGAPT6013JFLLAPT6013JLLAPT6013JVRAPT6013LFLLGAPT6013LLLG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXT-MAXSOT-227SOT-227SOT-227TO-264TO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<565 Вт<565 Вт<460 Вт<460 Вт<500 Вт<565 Вт<565 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.63 нФVds = 25V5.63 нФVds = 25V5.63 нФVds = 25V5.63 нФVds = 25V10.56 нФVds = 25V5.63 нФVds = 25V5.63 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<43 А<43 А<39 А<39 А<40 А<43 А<43 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V<130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V<130 мОмId, Vgs = 19.5A, 10V<130 мОмId, Vgs = 19.5A, 10V<130 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V<130 мОмId, Vgs = 21.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS 7®POWER MOS 7®
Заряд затвора
QG
130 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V540 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard