APT6010

APT6010, APT6010B2FLLG, APT6010B2LLG, APT6010JFLL, APT6010JLL, APT6010LFLLG, APT6010LLLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT6010B2FLLGAPT6010B2LLGAPT6010JFLLAPT6010JLLAPT6010LFLLGAPT6010LLLG
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXT-MAXSOT-227SOT-227TO-264TO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияНа шасси/проводНа шасси/проводВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<690 Вт<690 Вт<520 Вт<520 Вт<690 Вт<690 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
6.71 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<54 А<54 А<47 А<47 А<54 А<54 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 27A, 10V<100 мОмId, Vgs = 27A, 10V<100 мОмId, Vgs = 23.5A, 10V<100 мОмId, Vgs = 23.5A, 10V<100 мОмId, Vgs = 27A, 10V<100 мОмId, Vgs = 27A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®
Заряд затвора
QG
150 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard