На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT58M50J | APT58M80J | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <540 Вт | <960 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 13.5 нФVds = 25V | 17.55 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <58 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 42A, 10V | <110 мОмId, Vgs = 43A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 340 нCVgs = 10V | 570 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |