На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT56M50B2 | APT56M50L | APT56M60B2 | APT56M60L | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | TO-264 | T-MAX | TO-264 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <780 Вт | <780 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.8 нФVds = 25V | 8.8 нФVds = 25V | 11.3 нФVds = 25V | 11.3 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | <500 В | <600 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <56 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 28A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 280 нCVgs = 10V | 280 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||