На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT55M50JFLL | APT55M65JFLL | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <694 Вт | <595 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 12.4 нФVds = 25V | 9.165 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <550 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <77 А | <63 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 38.5A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 31.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 7® | |
Заряд затвора | QG | 265 нCVgs = 10V | 205 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |