APT5518

APT5518, APT5518BFLLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT5518BFLLG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<403 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.286 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<550 В
Постоянный ток стока
IDSS
<31 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<180 мОмId, Vgs = 15.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®
Заряд затвора
QG
67 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard