На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT53F80J | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Мощность | P | <960 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 17.55 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <53 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 43A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 570 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |