На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT51F50J | APT51M50J | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <480 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 11.6 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <51 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 37A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 290 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |