На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT5024BFLLG | APT5024BLLG | APT5024BVFRG | APT5024BVRG | APT5024SFLLG | APT5024SLLG | APT5024SVFRG | APT5024SVRG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <265 Вт | <265 Вт | <280 Вт | <280 Вт | <265 Вт | <265 Вт | <280 Вт | <280 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 4.32 нФVds = 25V | 4.32 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 4.32 нФVds = 25V | 4.32 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <22 А | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <240 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <240 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <240 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS V® |
Заряд затвора | QG | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 221 нCVgs = 10V | 221 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 221 нCVgs = 10V | 221 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||