APT5014BLLG

APT5014, APT5014BFLLG, APT5014BLLG, APT5014LVFRG, APT5014LVRG, APT5014SFLLG, APT5014SLLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT5014BFLLGAPT5014BLLGAPT5014LVFRGAPT5014LVRGAPT5014SFLLGAPT5014SLLG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247TO-247TO-264TO-264D³Pak (2 leads + tab)D³Pak (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<403 Вт<403 Вт<450 Вт<450 Вт<403 Вт<403 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.261 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V6.72 нФVds = 25V6.72 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V3.261 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<35 А<35 А<37 А<37 А<35 А<35 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 18.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<140 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 7®POWER MOS 7®POWER MOS V®POWER MOS V®POWER MOS 7®POWER MOS 7®
Заряд затвора
QG
72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V350 нCVgs = 10V350 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard