На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT40M35JVFR | APT40M70B2VFRG | APT40M70JVFR | APT40M70LVFRG | APT40N60B2CFG | APT40N60JCU2 | APT40N60JCU3 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | T-MAX | SOT-227 | TO-264 | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | В отверстия | На шасси/провод | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод | На шасси/провод |
Мощность | P | <700 Вт | <520 Вт | <450 Вт | <520 Вт | <417 Вт | <290 Вт | <290 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 20.16 нФVds = 25V | 8.89 нФVds = 25V | 8.89 нФVds = 25V | 8.89 нФVds = 25V | 5.04 нФVds = 25V | 7.015 нФVds = 25V | 7.015 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <400 В | <400 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <93 А | <57 А | <53 А | <57 А | <40 А | <40 А | <40 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 46.5A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <70 мОмId, Vgs = 26.5A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <110 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | CoolMOS™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 1.065 мкCVgs = 10V | 495 нCVgs = 10V | 495 нCVgs = 10V | 495 нCVgs = 10V | 185 нCVgs = 10V | 259 нCVgs = 10V | 259 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||