На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT38F80B2 | APT38F80L | APT38M50J | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | TO-264 | SOT-227 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод |
Мощность | P | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <357 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.07 нФVds = 25V | 8.07 нФVds = 25V | 8.8 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В | <800 В | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <41 А | <41 А | <38 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <280 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 28A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||