APT34F100L

APT34, APT34F100B2, APT34F100L, APT34F60B, APT34F60BG, APT34M120J, APT34M60B, APT34N80B2C3G, APT34N80LC3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT34F100B2APT34F100LAPT34F60BAPT34F60BGAPT34M120JAPT34M60BAPT34N80B2C3GAPT34N80LC3G
Корпус микросхемы
Корпус
T-MAXTO-264TO-247TO-247SOT-227TO-247T-MAXTO-264
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияНа шасси/проводВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<1.135 кВт<1.135 кВт<624 Вт<624 Вт<960 Вт<624 Вт<417 Вт<417 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
9.835 нФVds = 25V9.835 нФVds = 25V6.64 нФVds = 25V6.64 нФVds = 25V18.2 нФVds = 25V6.64 нФVds = 25V4.51 нФVds = 25V4.51 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
(не задано)(не задано)<600 В<600 В(не задано)<600 В<800 В<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<34 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<400 мОмId, Vgs = 18A, 10V<400 мОмId, Vgs = 18A, 10V<210 мОмId, Vgs = 17A, 10V<210 мОмId, Vgs = 17A, 10V<300 мОмId, Vgs = 25A, 10V<210 мОмId, Vgs = 17A, 10V<145 мОмId, Vgs = 22A, 10V<145 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серия MOSFET
Серия
POWER MOS 8™(не задано)(не задано)POWER MOS 8™(не задано)POWER MOS 8™(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
305 нCVgs = 10V305 нCVgs = 10V165 нCVgs = 10V165 нCVgs = 10V560 нCVgs = 10V165 нCVgs = 10V355 нCVgs = 10V355 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard