На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT32F120J | APT32M80J | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <960 Вт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 18.2 нФVds = 25V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <32 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 25A, 10V | (не задано) |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | |
Заряд затвора | QG | 560 нCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Standard | |