На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT31M100B2 | APT31M100L | APT31N60BCSG | APT31N80JC3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | TO-264 | TO-247 | SOT-227 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод |
Мощность | P | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <255 Вт | <833 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.5 нФVds = 25V | 8.5 нФVds = 25V | 3.055 нФVds = 25V | 4.51 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <600 В | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <31 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <145 мОмId, Vgs = 22A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
Заряд затвора | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 85 нCVgs = 10V | 355 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||