На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT29F100B2 | APT29F100L | APT29F80J | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | TO-264 | SOT-227 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод |
Мощность | P | <1.04 кВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.5 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <29 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <460 мОмId, Vgs = 16A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 260 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||