На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT22F100J | APT22F120B2 | APT22F120L | APT22F80B | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | T-MAX | TO-264 | TO-247 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | В отверстия | В отверстия | В отверстия |
Мощность | P | <545 Вт | <1.04 кВт | <1.04 кВт | <625 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 9.835 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 8.37 нФVds = 25V | 4.595 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <22 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <500 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 305 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||