На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT19F100J | APT19M120J | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <460 Вт | <545 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.5 нФVds = 25V | 9.67 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <19 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <460 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <560 мОмId, Vgs = 14A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 8™ | |
Заряд затвора | QG | 260 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |