На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT18F60B | APT18M100B | APT18M80B | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | ||
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <335 Вт | <625 Вт | <500 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.55 нФVds = 25V | 4.845 нФVds = 25V | 3.76 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | (не задано) | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <390 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <700 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <560 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | POWER MOS 8™ |
Заряд затвора | QG | 90 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||