APT12F60K

APT12, APT12F60K, APT12M80B

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPT12F60KAPT12M80B
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220TO-247
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<225 Вт<335 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.2 нФVds = 25V2.47 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<620 мОмId, Vgs = 6A, 10V<900 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)POWER MOS 8™
Заряд затвора
QG
55 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard