APT1201R2BFLLG

APT1201, APT1201R2BFLLG, APT1201R2SFLLG, APT1201R4BFLLG, APT1201R4SFLLG, APT1201R5BVFRG, APT1201R5SVFRG, APT1201R6BVFRG, APT1201R6SVFRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		APT1201R2BFLLG	APT1201R2SFLLG	APT1201R4BFLLG	APT1201R4SFLLG	APT1201R5BVFRG	APT1201R5SVFRG	APT1201R6BVFRG	APT1201R6SVFRG
Корпус микросхемы	Корпус	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный
Мощность	P	<403 Вт	<403 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<370 Вт	<370 Вт	<280 Вт	<280 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	2.54 нФVds = 25V	2.54 нФVds = 25V	2.5 нФVds = 25V	2.5 нФVds = 25V	4.44 нФVds = 25V	4.44 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V
Постоянный ток стока	I_DSS	<12 А	<12 А	<9 А	<9 А	<10 А	<10 А	<8 А	<8 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<1.2 ОмId, Vgs = 6A, 10V	<1.2 ОмId, Vgs = 6A, 10V	<1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V
Серия MOSFET	Серия	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвора	Q_G	100 нCVgs = 10V	100 нCVgs = 10V	120 нCVgs = 10V	120 нCVgs = 10V	285 нCVgs = 10V	285 нCVgs = 10V	230 нCVgs = 10V	230 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard