На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT10M07JVFR | APT10M09B2VFRG | APT10M09LVFRG | APT10M11B2VFRG | APT10M11JVFR | APT10M11JVRU2 | APT10M11JVRU3 | APT10M11LVFRG | APT10M19BVFRG | APT10M19BVRG | APT10M19SVFRG | APT10M19SVRG | APT10M25BVFRG | APT10M25BVRG | APT10M25SVFRG | APT10M25SVRG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227 | T-MAX | TO-264 | T-MAX | SOT-227 | SOT-227 | SOT-227 | TO-264 | TO-247 | TO-247 | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) | TO-247 | TO-247 | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | В отверстия | В отверстия | В отверстия | На шасси/провод | На шасси/провод | На шасси/провод | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <700 Вт | <625 Вт | <625 Вт | <520 Вт | <450 Вт | <450 Вт | <450 Вт | <520 Вт | <370 Вт | <370 Вт | <370 Вт | <370 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 21.6 нФVds = 25V | 9.875 нФVds = 25V | 9.875 нФVds = 25V | 10.3 нФVds = 25V | 10.38 нФVds = 25V | 8.6 нФVds = 25V | 8.6 нФVds = 25V | 10.3 нФVds = 25V | 6.12 нФVds = 25V | 6.12 нФVds = 25V | 6.12 нФVds = 25V | 6.12 нФVds = 25V | 5.16 нФVds = 25V | 5.16 нФVds = 25V | 5.16 нФVds = 25V | 5.16 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <225 А | <100 А | <100 А | <100 А | <144 А | <142 А | <142 А | <100 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <9 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <11 мОмId, Vgs = 71A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 71A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <19 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V | <19 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <19 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V | <19 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <25 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | (не задано) | (не задано) | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | (не задано) | POWER MOS V® |
Заряд затвора | QG | 1.05 мкCVgs = 10V | 350 нCVgs = 10V | 350 нCVgs = 10V | 450 нCVgs = 10V | 450 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 450 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 300 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||||||||||