APT1001R6BFLLG

APT1001, APT1001R6BFLLG, APT1001R6SFLLG, APT1001RBVFRG, APT1001RBVRG, APT1001RSVFRG, APT1001RSVRG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		APT1001R6BFLLG	APT1001R6SFLLG	APT1001RBVFRG	APT1001RBVRG	APT1001RSVFRG	APT1001RSVRG
Корпус микросхемы	Корпус	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	TO-247	TO-247	D³Pak (2 leads + tab)	D³Pak (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный
Мощность	P	<266 Вт	<266 Вт	<278 Вт	<280 Вт	<278 Вт	<280 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	1.32 нФVds = 25V	1.32 нФVds = 25V	3.05 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V	3.05 нФVds = 25V	3.66 нФVds = 25V
Постоянный ток стока	I_DSS	<8 А	<8 А	<11 А	<11 А	<11 А	<11 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET	Серия	POWER MOS 7®	POWER MOS 7®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®	POWER MOS V®
Заряд затвора	Q_G	55 нCVgs = 10V	55 нCVgs = 10V	150 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V	150 нCVgs = 10V	225 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate