На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APT1001R6BFLLG | APT1001R6SFLLG | APT1001RBVFRG | APT1001RBVRG | APT1001RSVFRG | APT1001RSVRG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | D³Pak (2 leads + tab) | TO-247 | TO-247 | D³Pak (2 leads + tab) | D³Pak (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <266 Вт | <266 Вт | <278 Вт | <280 Вт | <278 Вт | <280 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.32 нФVds = 25V | 1.32 нФVds = 25V | 3.05 нФVds = 25V | 3.66 нФVds = 25V | 3.05 нФVds = 25V | 3.66 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | <8 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V | <1.6 ОмId, Vgs = 4A, 10V | <1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® |
Заряд затвора | QG | 55 нCVgs = 10V | 55 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 225 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |