На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APL502B2G | APL502J | APL502LG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | T-MAX | SOT-227 | TO-264 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | На шасси/провод | В отверстия |
Мощность | P | <730 Вт | <568 Вт | <730 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 9 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <58 А | <52 А | <58 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 29A, 12V | <90 мОмId, Vgs = 26A, 12V | <90 мОмId, Vgs = 29A, 12V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||