2SK3288

2SK3288, 2SK3288ENTL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SK3288ENTL
Корпус микросхемы
Корпус
MPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<400 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<100 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.5 ОмId, Vgs = 50mA, 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate