2SK2961

2SK2961, 2SK2961(F,M)

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SK2961(F,M)
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Производитель
Производитель
Toshiba
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<900 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
170 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<270 мОмId, Vgs = 1A, 10V
Заряд затвора
QG
5.8 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate