На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SK2884(Q) | 2SK2884(SM,Q) | 2SK2884(TE24L) | 2SK2884(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10S1B | 2-10S1B | TO-220FL | 2-10S2B |
Производитель | Производитель | Toshiba | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <100 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <5 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.2 ОмId, Vgs = 3A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 34 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||