На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SK2789(SM,Q) | 2SK2789(TE24L) | 2SK2789(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10S1B | TO-220FL | TO-220FL |
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <60 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <27 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||