На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SK2231(Q) | 2SK2231(TE16L1,NQ) | 2SK2231(TE16R) | 2SK2231(TE16R1,NQ) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-7B1B, 2-7B1B | 2-7B1B, 2-7J1B | 2-7B1B, 2-7J1B | 2-7B1B, 2-7J1B |
Производитель | Производитель | Toshiba | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <20 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 370 пФVds = 10V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <5 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||