На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SK1930(TE24L,Q) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10S2B |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 700 пФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.8 ОмId, Vgs = 2A, 10V |
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |