2SK1119(F)

2SK1119, 2SK1119(F)

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SK1119(F)
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB
Производитель
Производитель
Toshiba
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
700 пФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.8 ОмId, Vgs = 2A, 10V
Заряд затвора
QG
60 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard