На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SJ412(Q) | 2SJ412(SM,Q) | 2SJ412(TE24L,Q) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220, TO-220 | TO-220, 2-10S1B | TO-220, TO-220SM |
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <60 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <210 мОмId, Vgs = 6A, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 48 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |