На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SJ377(Q) | 2SJ377(TE16R) | 2SJ377(TE16R1,NQ) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-7B1B | 2-7J1B | 2-7B2B |
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <20 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 630 пФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <5 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <190 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 22 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||