На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SJ360(F) | 2SJ360(TE12L) | 2SJ360(TE12L,F) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PW-MINI | ||
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <500 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 155 пФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <1 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <730 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 6.5 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||